技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 2.3 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容: | 1895 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間: | 4 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 1895pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): | 2.3 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間: | 3 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 36 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | DFN-3 | ? |
外形尺寸/長度: | 3.3 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 3.3 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 0.75 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | DFN-3 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準: | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準: | Lead Free | ? |
型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | DFN-33 |
N溝道功率溝槽? SyncFETTM N-Channel Power Trench? SyncFETTM
|
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![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | PowerWDFN-8 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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