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型號(hào): FDG8850NZ
描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG8850NZ. 場(chǎng)效應(yīng)管, MOSFET, 雙路N溝道, 30V, 250UΩ, 750mA, SC-70-6
商品二維碼
封 裝: SC-70-6
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
1.12  元 1.12元
5+:
¥ 1.5120
25+:
¥ 1.4000
50+:
¥ 1.3216
100+:
¥ 1.2880
500+:
¥ 1.2656
2500+:
¥ 1.2376
5000+:
¥ 1.2264
10000+:
¥ 1.2096
數(shù)量
5+
25+
50+
100+
500+
價(jià)格
1.5120
1.4000
1.3216
1.2880
1.2656
價(jià)格 1.5120 1.4000 1.3216 1.2880 1.2656
起批量 5+ 25+ 50+ 100+ 500+
  • 運(yùn)費(fèi)   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格:13.00
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技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

2

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

6

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.25 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

Dual N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

360 mW

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

1 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

30 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

30 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

750 mA

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

1 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

120pF @10V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

300 mW

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

1 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

360 mW

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

6

?

封裝參數(shù)/封裝:

SC-70-6

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

2 mm

?

外形尺寸/寬度:

1.25 mm

?

外形尺寸/高度:

1 mm

?

外形尺寸/封裝:

SC-70-6

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn):

No SVHC

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本:

2015/06/15

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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SI1902DL-T1-E3 SI1902DL-T1-E3 Vishay Intertechnology 功能相似 SOT-363-6
雙N通道20 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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