技術(shù)參數(shù)/上升/下降時間： | 3.2μs, 4.7μs | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電壓(DC)： | 1.25 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸出電壓： | 70.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電路數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/正向電壓： | 1.25 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電流： | 30.0 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 250 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 1.6 μs | ? |
技術(shù)參數(shù)/隔離電壓： | 2500 Vrms | ? |
技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)： | 70 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/正向電流： | 60 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸出電壓(Max)： | 70 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電流(Min)： | 60 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓： | 6 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/正向電壓(Max)： | 1.55 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/正向電流(Max)： | 60 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 2.2 μs | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 100 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -40 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 250 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 5.13 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.16 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 3.43 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -40℃ ~ 100℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Each | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MOCD207R2M
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MOCD207R2M. 光電耦合器, 雙通道, 8-SOIC
|
||
MOCD208M
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MOCD208M 光電耦合器, 晶體管輸出, 2通道, SOIC, 8 引腳, 60 mA, 2.5 kV, 40 %
|
||
MOCD207R2M
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 完全替代 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MOCD207R2M. 光電耦合器, 雙通道, 8-SOIC
|
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