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描述：
UniFET? N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻，還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強(qiáng)度。 此外，內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應(yīng)力。 UniFET? MOSFET 適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX（先進(jìn)技術(shù)擴(kuò)展）和電子燈鎮(zhèn)流器。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長時(shí)間。
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技術(shù)參數(shù)/極性： | N-CH | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 227 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 400 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 24A | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 3020pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 227 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 227W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.1 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.7 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 15.38 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Rail, Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
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