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描述: 分離式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模塊,Fairchild Semiconductor 絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
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封 裝: TO-264-3
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包裝方式: Tube
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技術參數/耗散功率:

500000 mW

?

技術參數/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極):

1200 V

?

技術參數/反向恢復時間:

112 ns

?

技術參數/額定功率(Max):

500 W

?

技術參數/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術參數/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術參數/耗散功率(Max):

500000 mW

?

封裝參數/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數/引腳數:

3

?

封裝參數/封裝:

TO-264-3

?

外形尺寸/長度:

20 mm

?

外形尺寸/寬度:

5 mm

?

外形尺寸/高度:

26 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-264-3

?

物理參數/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

無鉛

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海關信息/ECCN代碼:

EAR99

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