技術(shù)參數(shù)/供電電流： | 12 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/存取時間： | 140 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/存取時間(Max)： | 70 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 85 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -40 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓： | 2V ~ 3.6V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 28 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-28 | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-28 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -40℃ ~ 85℃ (TA) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Unknown | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FM28V020-SG
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Ramtron | 完全替代 | SOIC-28 |
F-RAM，Cypress Semiconductor ### FRAM（鐵電 RAM） FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器）是非易失存儲器，將鐵電膜用作電容器來儲存數(shù)據(jù)。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 設(shè)備的特點，具備高速存取、寫入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，這款存儲器特別適用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移動電話和其他設(shè)備。
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FM25V05-GTR
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Cypress Semiconductor (賽普拉斯) | 功能相似 | SOIC-8 |
512Kb串行SPI,3V,F-RAM存儲器
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