技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 180 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)： | 1000 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/反向恢復(fù)時(shí)間： | 1.2 μs | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 180 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 180000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-264-3 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-264-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Not For New Designs | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 電源管理 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | 無(wú)鉛 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FGL60N100BNTD
|
ON Semiconductor (安森美) | 類(lèi)似代替 | TO-264-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTD 單晶體管, IGBT, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 引腳
|
||
FGL60N100BNTDTU
|
ON Semiconductor (安森美) | 類(lèi)似代替 | TO-264-3 |
IGBT、1000V 及以上，F(xiàn)airchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模塊，F(xiàn)airchild Semiconductor 絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱(chēng)。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
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