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描述：
SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 使用超級結(jié)技術(shù)增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅(jiān)固主體二極管性能，適用于要求高功率密度、系統(tǒng)效率和可靠性的交流-直流開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用，如服務(wù)器、電信、計(jì)算、工業(yè)電源、UPS/ESS、太陽能逆變器和照明應(yīng)用。 利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù)，設(shè)計(jì)人員可實(shí)現(xiàn)更高效經(jīng)濟(jì)的高性能解決方案，可占用更少板空間并提高可靠性。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運(yùn)行更長時(shí)間。
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技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 10 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 2220pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 39 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 5 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 39 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.36 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.9 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 16.07 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
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