技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 2 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-CH | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 3.1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 12A | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 2600pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 3.1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 3.1W (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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FDS4435
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
P溝道邏輯電平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET
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FDS4435
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National Semiconductor (美國國家半導(dǎo)體) | 功能相似 | SOIC |
P溝道邏輯電平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET
|
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FDS4435
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
P溝道邏輯電平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET
|
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