技術參數(shù)/耗散功率： | 2.5W (Ta), 46W (Tc) | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術參數(shù)/上升時間： | 75 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 550pF @25V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/下降時間： | 64 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta), 46W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-252-3 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-252-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Obsolete | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | 無鉛 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TO-252-3 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Siemens Semiconductor (西門子) | 功能相似 | SOT-223 |
INFINEON BSP297 晶體管, MOSFET, N溝道, 600 mA, 200 V, 2 ohm, 10 V, 1.4 V
|
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FDD7N20TM
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Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | TO-252-3 |
UniFET? N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻，還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強度。 此外，內部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應力。 UniFET? MOSFET 適用于開關電源轉換器應用，如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX（先進技術擴展）和電子燈鎮(zhèn)流器。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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