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型號(hào)： 6MBI100VA-120-50
描述： IGBT 模塊，6 包，F(xiàn)uji Electric V - 系列，第 6 代現(xiàn)場(chǎng)擋塊 U/U4 系列，第 5 代現(xiàn)場(chǎng)擋塊 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模塊內(nèi)每晶體的最大集電極電流 (Ic) 值是額定的。 IGBT 分立件和模塊，F(xiàn)uji Electric 絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
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封 裝： M636
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技術(shù)參數(shù)/極性：

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技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)：

150 ℃

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技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)：

520 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式：

PCB

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù)：

28

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封裝參數(shù)/封裝：

M636

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外形尺寸/長(zhǎng)度：

107.5 mm

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外形尺寸/寬度：

45 mm

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外形尺寸/高度：

17 mm

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外形尺寸/封裝：

M636

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