技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 60.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 500 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 5 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 300 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 2.1 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 40.0 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 60 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 60.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 500 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 40pF @10V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 300 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 300mW (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOT-23-3 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 2.92 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 1.3 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 0.93 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOT-23-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002K
|
NCE | 類似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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|||
BSS123
|
Siemens Semiconductor (西門子) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
|
||
|
|
Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
|
||
|
|
Blue Rocket Electronics (藍(lán)箭) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
|
||
BSS123
|
Philips (飛利浦) | 類似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
|
|||
BS170
|
GE (通用電氣) | 類似代替 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設(shè)計(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
|
|||
BSS123
|
Zetex | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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