7 月 14 日消息，韓媒 ETNews 于本月 9 日報道，SK 海力士正積極探索應(yīng)對先進(jìn)存儲器晶圓厚度持續(xù)降低的方法，考慮引入飛秒激光等先進(jìn)晶圓切割技術(shù)，以突破現(xiàn)有工藝局限。
目前，SK 海力士主要運(yùn)用機(jī)械刀片切割（借助金剛石砂輪）和隱形切割（在晶圓內(nèi)部制造裂隙）這兩種技術(shù)。然而，機(jī)械刀片切割僅適用于厚度 100μm 及以上的晶圓，隱形切割也只能應(yīng)對厚度在 50μm 左右的晶圓。
但當(dāng)下先進(jìn)存儲器的發(fā)展趨勢是晶圓厚度不斷變薄，特別是先進(jìn)HBM 內(nèi)存，因其多層堆疊且堆?？偢呤芟蓿约拔磥?400 + 層NAND需通過混合鍵合連接存儲單元與外圍電路，對晶圓厚度要求更為嚴(yán)苛。
報道指出，SK 海力士已與激光設(shè)備合作伙伴開展新的晶圓切割設(shè)備聯(lián)合評估項(xiàng)目。該企業(yè)已與部分伙伴啟動技術(shù)測試，探索不同技術(shù)路線，其中包括預(yù)開槽，即預(yù)先對切割區(qū)域進(jìn)行處理，以及直接完全利用激光分離等方案。
在半導(dǎo)體制造工藝持續(xù)精進(jìn)的當(dāng)下，晶圓切割技術(shù)的革新對保障產(chǎn)品良率與性能至關(guān)重要。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注 SK 海力士新技術(shù)引入進(jìn)展及行業(yè)動態(tài)。
