一、長鑫戰(zhàn)略大調(diào)整，DDR4 或?qū)⒊?“過去式”
DIGITIMES 報道稱，國內(nèi) DRAM 龍頭長鑫存儲正籌備一項重大戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。計劃在 2026 年中期逐步淘汰面向服務器和 PC 的 DDR4 產(chǎn)品，全力進軍 DDR5 和 HBM 高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域。這一決策猶如一顆投入平靜湖面的巨石，在全球 DRAM 市場激起千層浪。
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二、產(chǎn)能擴張迅猛，撼動行業(yè)格局
即便面臨美國出口限制，長鑫存儲擴張的腳步也未停歇。最初僅占 2% 市場份額的它，預計到 2025 年底，月產(chǎn)量將飆升至 28 萬片晶圓，未來潛力更可達 30 萬片，屆時將占據(jù)全球 DRAM 總產(chǎn)量的 15%。其積極進取的姿態(tài)，對三星、SK 海力士和美光主導的市場格局構(gòu)成有力挑戰(zhàn)。
三、DDR5 加速布局，產(chǎn)能占比將超 60%
隨著戰(zhàn)略調(diào)整，長鑫存儲在 DDR5 領(lǐng)域的布局加速 。預計到 2025 年底，DDR5 將占其總產(chǎn)量的 60% 以上，再加上 LPDDR4 和 LPDDR5，低功耗 DRAM 生產(chǎn)線將為本土智能手機品牌提供有力支撐。盡管逐步淘汰標準 DDR4，但仍保留部分產(chǎn)線，為兆易創(chuàng)新進行消費級外包生產(chǎn)。

四、技術(shù)尚待成熟，前路仍有挑戰(zhàn)
然而，長鑫存儲 DDR5 技術(shù)尚未完全成熟。外媒消息顯示，2025 年第一季度，其 DDR5 樣品未能通過國內(nèi)某內(nèi)存制造商的集成測試，致使該制造商轉(zhuǎn)而尋求韓國替代方案。不過，從過往測評來看，若散熱到位，國產(chǎn) DDR5 滿足日常及一定程度發(fā)燒使用不成問題，已達到階段性成果。
五、瞄準 HBM3，或成行業(yè)新突破
更引人注目的是，長鑫存儲正在開發(fā)高端 HBM 解決方案，大概率指向 HBM3 。鑒于 HBM 在 AI 加速器中的關(guān)鍵作用，一旦成功，這將是比 DDR5 技術(shù)更具影響力的突破。若國內(nèi)核心廠商獲得 HBM3 持續(xù)供應，將對行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。
內(nèi)存市場風云變幻，長鑫存儲的轉(zhuǎn)型之路備受矚目。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注其后續(xù)進展，為行業(yè)提供前沿資訊與優(yōu)質(zhì)服務。