近日消息，在半導體存儲領域的激烈競爭中，三星電子傳來一則振奮人心的消息 。近日，據業(yè)內人士透露，三星電子代工部門迎來關鍵進展，其采用 4nm 工藝生產的、作為第六代高帶寬存儲器（HBM4）核心的 “邏輯芯片”，測試生產良率已成功突破 40% 大關 。這一成績的取得，無疑為三星電子在 HBM4 的開發(fā)與量產進程注入了一劑 “強心針” 。

在半導體制造中，良率是衡量生產效率和產品質量的重要指標 。一位半導體業(yè)內資深人士對此評價道：“初始測試生產良率達到 40%，這是相當不錯的成績，意味著我們可以迅速開展后續(xù)業(yè)務 。通常情況下，代工流程初期良率多從 10% 左右起步，隨著不斷優(yōu)化工藝、逐步進入量產階段，良率還會持續(xù)攀升 。” 此次三星電子在 HBM4 邏輯芯片測試生產中取得的高良率，充分彰顯了其代工技術的實力與潛力 。

借代工優(yōu)勢，三星全力沖刺 HBM4 市場

長期以來，在 HBM 技術競爭的賽道上，三星電子的表現(xiàn)并不盡如人意 。在第五代 HBM（HBM3E）市場中，三星電子已被競爭對手 SK 海力士和美光遠遠甩在身后 。不過，痛定思痛的三星電子并未氣餒，而是將全部精力投入到 HBM4 的研發(fā)與生產中，力求在這一新興領域實現(xiàn)逆襲 。

三星電子的 HBM4 邏輯芯片采用代工精細工藝，這一工藝具有顯著優(yōu)勢 。一方面，它能夠大幅提升芯片性能，滿足日益增長的高性能計算需求 。另一方面，該工藝允許根據客戶的特定設計需求進行生產，從而能夠靈活應對 “定制 HBM” 市場的多樣化需求 。特別是在全球大型科技公司對定制化芯片需求快速增長的當下，三星電子憑借自身的代工技術，與依賴臺積電代工的 SK 海力士和美光相比，具備了更強的市場競爭力 。

1c DRAM 成關鍵，三星 HBM4 業(yè)務勝負在此一舉

當下，三星電子 HBM4 業(yè)務的未來走向，在很大程度上取決于其內存業(yè)務部門正在全力開發(fā)的 10nm 級第 6 代（1c）DRAM 。HBM4 12 層產品需要配備 1c DRAM 和邏輯芯片 。目前，三星電子的競爭對手 SK 海力士在 HBM4 產品中采用的是上一代 DRAM（1bDRAM） 。倘若三星電子能夠成功實現(xiàn) 1c DRAM 的穩(wěn)定量產，那么在 HBM4 性能方面，三星電子有望一舉超越競爭對手，占據領先地位 。

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除了 DRAM，封裝技術同樣至關重要 。三星電子正在采用 “先進熱壓非導電粘合膜 (TC-NCF)” 技術，該技術在堆疊芯片時，會在每層之間鋪設一層薄膜型材料，可實現(xiàn)最多 12 層 HBM 產品的堆疊 。半導體業(yè)內人士指出：“從三星電子的角度來看，目前剩下的關鍵任務，便是穩(wěn)定搭載在 HBM 上的 DRAM 以及進一步優(yōu)化封裝技術 ?！?/span>

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半導體行業(yè)瞬息萬變，三星 HBM4 的進展備受矚目。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關注行業(yè)動態(tài)，憑借專業(yè)優(yōu)勢，為客戶提供優(yōu)質芯片產品與服務，助力行業(yè)在創(chuàng)新中前行。